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HY27SA081G1M

1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory

DESCRIPTION The HYNIX HY27(U/S)A(08/16)1G1M series is a family of non-volatile Flash memories that use NAND cell technology. The devices operate 3.3V and 1.8V voltage supply. The size of a Page is either 528 Bytes (512 + 16 spare) or 264 Words (256 + 8 spare) depending on whether the device has a

Hynix

海力士

HY27SA081G1M

1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory

Hynix

海力士

HY27SA081G1M产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HY27SA081G1M

  • 制造商

    HYNIX

  • 制造商全称

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述

    1Gbit(128Mx8bit/64Mx16bit) NAND Flash Memory

更新时间:2025-11-19 23:41:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI/日立
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