位置:首页 > IC中文资料第5707页 > HY110N06T
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HY110N06T | 55V/110AN-ChannelEnhancementModeMOSFET 55V,RDS(ON)=5.5mW@VGS=10V,ID=30A Features •LowOn-StateResistance •ExcellentGateChargexRDS(ON)Product(FOM) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforDC-DCConverter,Off-lineUPS,AutomotiveSystem,SolenoidandMotorControl •I | HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司 | ||
OptiMOS짰Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | |||
N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件:2.10135 Mbytes Page:7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件:603.77 Kbytes Page:6 Pages | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | |||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件:826.53 Kbytes Page:6 Pages | HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司 |
HY110N06T产品属性
- 类型
描述
- 型号
HY110N06T
- 制造商
HY
- 制造商全称
HY ELECTRONIC CORP.
- 功能描述
55V/110A N-Channel Enhancement Mode MOSFET
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Hao Yueh |
22+ |
SMD |
518000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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松下 |
22+ |
NA |
3200 |
全新原装品牌专营 |
|||
PANASONIC |
23+ |
原封阻容元件 |
1000000 |
||||
PANASONICINDDEVICESPIDSA |
标准封装 |
58998 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
||||
PANASONICINDDEVICESPIDSA |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
|||
PANASONIC |
22+23+ |
New |
32053 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
PANASONICINDDEVICESPIDSA |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
|||
PANASONIC(松下) |
23+ |
DIP,7.4x12mm |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
松下 |
1736+ |
RELAY |
8529 |
专营继电器只做原装正品假一赔十! |
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PANASONICINDDEVICESPIDSA |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
HY110N06T规格书下载地址
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