| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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HX50N06 | 50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET 文件：1.4536 Mbytes Page：6 Pages | THINKISEMI 思祁半导体 |   | |
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 50N06is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mod | UTC 友顺 | | ||
50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：330.9 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | | ||
50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：812.59 Kbytes Page：10 Pages | WXDH 东海半导体 | | ||
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50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：807.77 Kbytes Page：10 Pages | WXDH 东海半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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LEM |
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NA/ |
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LEM/莱姆 |
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LEM |
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LEM |
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LEM |
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LEM |
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2019-12-16
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