位置:首页 > IC中文资料 > HWL36YRF

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
HWL36YRF

L-Band GaAs Power FET

Description The HWL36YRF is a Power GaAs FET designed for various L-band & S-band applications. It is presently offered in low cost ceramic package. Features • Low Cost GaAs Power FET • Class A or Class AB Operation • Typical 13 dB Gain • 5V to 10V Operation

HW

汉威光电

HWL36YRF

Ceramic Package GaAs Power MESFET

HANWEI

汉威电子

L-Band GaAs Power FET

文件:96.95 Kbytes Page:3 Pages

HW

汉威光电

HWL36YRF产品属性

  • 类型

    描述

  • G1dB Typ. (dB):

    13.0

  • PAE Typ.(%):

    42

  • VDS(V):

    10

  • IDS(mA):

    1000

  • Package:

    CERAMIC RA w/ FLANGE

更新时间:2026-7-31 17:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CHINAXYJ
25+
2520
9868
专做原装正品,假一罚百!
HEXAWAVEE
24+
SOT-89
1000
HEXAWAVE
2004+
TO-89
1005
全新 发货1-2天
HEXAWAVE
23+
TO-89
50000
全新原装正品现货,支持订货
HEXAWAVE
24+
TO-89
5000
全现原装公司现货
HEXWAWVE
25+
SOT-89
10000
原装现货假一罚十

HWL36YRF数据表相关新闻