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MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications • DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 22 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 100 V) (

TOSHIBA

东芝

5mm Oval Lamp

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MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-26 23:01:01
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