| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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GaAs Infrared Light Emitting Diode GaAs Infrared Light Emitting Diode For optical control systems Features ● High-power output, high-efficiency : PO = 5 mW (typ.) ● Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors : λP = 940 nm (typ.) ● Good radiant power output linearity with respect to input current ● Long lifet | PANASONIC 松下 |   | ||
EIGHT DARLINGTON ARRAYS Description The ULQ2801A-ULQ2804A each contain eight Darlington transistors with common emitters and integral suppression diodes for inductive loads. Each Darlington features a peak load current rating of 600 mA (500 mA continuous) and can withstand at least 50 V in the off state. Outputs may be | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Low-Power BiCMOS Current-Mode PWM 文件：383.98 Kbytes Page：20 Pages | TI 德州仪器 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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