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DeadBlowNylonHammers

Die-castonepieceheadandhandleofaluminiumalloy.Fittedwithshockabsorbentrubbergrip.Screw-infacesofspecialnylon.Thehollowheadispartiallyfilledwithshotwhichaddstotheweightandpreventsre-bound.Allowingheavyandeffectiveblowswithmaximumimpactcontrol.

THORTHOR communications

THOR communications

THOR

Category5ECable,4Pair,U/UTP,CMR

ProductDescription Category5E+PremiseHorizontalCable(350MHz),4Pair,24AWGSolidBareCopperConductors,U/UTP,Riser-CMR,PVCJacket

BELDENBelden Inc.

百通电缆设计科技有限公司

BELDEN

InstrumentMedicalInterconnect,#26-6c,TC,PVC,O/AFoil,PVCJkt,CL2X

ProductDescription Computer,Instrument&MedicalInterconnect,26AWGstranded(7x34)tinnedcopperconductors,PVCinsulation,Duofoil®shield(100coverage),26AWG strandedtinnedcopperdrainwire,PVCjacket.

BELDENBelden Inc.

百通电缆设计科技有限公司

BELDEN

VariableRFInductor

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YANTELYantel Corporation

研通高频深圳市研通高频技术有限公司

YANTEL

AAASUPERHEAVYDUTY

文件:60.56 Kbytes Page:1 Pages

ENERGIZEREnergizer

ENER GIZER

ENERGIZER
更新时间:2024-6-17 18:56:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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20+
原装
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DELPHI
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    2021-2-16
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    2019-8-2
  • HS9-4424BRH-双抗辐射,非逆变电源的MOSFET驱动器

    双抗辐射,非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相,双,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协,4

    2013-3-2
  • HS9-4423BRH-抗辐射双通道,逆变电源的MOSFET驱动器

    抗辐射双通道,逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协,4423BRH是反转,双通道,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协

    2013-3-2
  • HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器

    硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK(分钟)。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路,以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门(RSG)的过程中,HS-117RH都难单事件闭锁,并经过特别设计,提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄

    2013-1-28