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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2A PLASTIC MOLDED THYRISTOR SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N | NEC 瑞萨 |   | ||
2A PLASTIC MOLDED THYRISTOR SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N | NEC 瑞萨 | | ||
PLASTIC MOLDED THYRISTOR Features ·With TO-202 package ·1cathode 2 anode 3 gate | ISC 无锡固电 | | ||
Triacs sensitive gate GENERAL DESCRIPTION Passivated thyristors in a plastic envelope, intended for use in applications requiring high bidirectional blocking voltage capability and high thermal cycling performance. Typical applications include motor control, industrial domestic lighting, heating and staticand switchin | TGS | | ||
Opto-Electronic Devices(NEPOC) 文件：311.34 Kbytes Page：1 Pages | NEC 瑞萨 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HGF |
24+ |
TO92 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-202AA |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
NEC |
24+ |
TO202 |
5000 |
原装现货 |
|||
NEC |
23+ |
TO-220 |
20000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
Bychip/百域芯 |
21+ |
SOT-252 |
30000 |
优势供应 品质保障 可开13点发票 |
|||
NEC |
25+ |
TO-202 |
8000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
NEC |
24+ |
TO-220 |
20000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
NEC |
TO-220 |
8553 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
NEC |
2012+ |
原装正品 |
10000 |
全新原装,公司大量现货供应,绝对正品 |
|||
NEC |
25+23+ |
TO220 |
76188 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
HSDQ--2P4M规格书下载地址
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2021-2-16HSF-48-19-BF
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2020-3-10HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十
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2019-8-2HS9-4424BRH-双抗辐射，非逆变电源的MOSFET驱动器
双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
2013-3-2HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS -117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS -117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS -117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。 特点 •电甄
2013-1-28
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