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HSDP2111S	AlphanumericIntelligentDisplayDevices 文件：977.85 Kbytes Page：16 Pages	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体
2111FX	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR Description ThedeviceismanufacturedusingDiffusedCollectorTechnologyformorestableoperationvsbasedrivecircuitvariationsresultinginverylowworstcasedissipation. Features ■NEWSERIES,ENHANCEDPERFORMANCE ■FULLYINSULATEDPACKAGE(U.L.COMPLIANT)FOREASYMOUNTING ■HIGHV	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
2111	2111 文件：125.32 Kbytes Page：6 Pages	YOUDAWuxi Youda Electronics Co., Ltd 无锡市友达无锡市友达电子有限公司
2111	One-wayflowcontrolvalve 文件：79.26 Kbytes Page：1 Pages	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司
2111A	Fieldbus,5Pr#16StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG 文件：256.839 Kbytes Page：3 Pages	BELDEN Belden Inc.
2111-H	HighCurrentToroidInductors 文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）

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更新时间：2024-4-18 17:33:00

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深圳市高捷芯城科技有限公司	HSE102MAQBF0KR	VISHAY(威世)	23+	插件,P=5mm	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
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深圳市骏创达科技有限公司	HSDSKRPPCB12B	Amphenol Commercial Products	2308+		563960	一级代理,原装正品,公司现货!	询价
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2021-2-16
HSF-48-19-BF
HSF系列散热器/风扇组合 Wakefield-Vette的散热器/风扇组合设计用于许多行业的气流应用
2020-3-10
HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十
HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十尽在-宇集芯电子
2019-8-2
HS9-4424BRH-双抗辐射，非逆变电源的MOSFET驱动器
双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
2013-3-2
HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2
HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS-117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄
2013-1-28

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