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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HSD278KRF-E | Silicon Schottky Barrier Diode for Detector 文件：162.98 Kbytes Page：7 Pages | RENESAS 瑞萨 |   | |
High Voltage (Plate) & Filament - 32 VA to 454 VA Features Primary 115 VAC, 60 Hz. - except as noted For universal primaries and/or 50/60 Hz. operation and other output voltagecombinations please see our 300 Series Enclosed, 4 hole, chassis mount. Minimum 6 long leads. Units can be run full wave bridge or full wave C.T. Class A insulation ( | HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司 | | ||
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4 TERMINAL 2A OUTPUT LOW DROP VOLTAGE REGULATOR 文件：257.579 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | | ||
Gray Iron in ASTM A278 文件：232.54 Kbytes Page：4 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
HSD278KRF-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
HSD278KRF-E
- 功能描述
DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SFP
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
- 系列
-
- 标准包装
100
- 系列
-
- 二极管类型
标准 电压
- -(Vr)（最大）
50V 电流 -
- 平均整流(Io)
6A 电压 - 在 If
- 时为正向(Vf)（最大）
1.4V @ 6A
- 速度
快速恢复 = 200mA（Io）
- 反向恢复时间(trr)
300ns 电流 - 在 Vr
- 时反向漏电
15µA @ 50V 电容@ Vr,
- F
-
- 安装类型
底座，接线柱安装
- 封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
- 供应商设备封装
DO-203AA
- 包装
散装
- 其它名称
*1N3879
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BEST |
24+ |
SMD |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
华昕 |
24+ |
TO-92 |
7560 |
||||
ITS |
25+ |
QFN |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
TERADYNE |
新 |
25 |
全新原装 货期两周 |
||||
HUAJING |
23+ |
TO-220 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOD523 |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
HITTITE |
24+ |
SMD |
2000 |
HITTITE专营品牌全新原装进口现货 |
|||
华析 |
1922+ |
TO-92 |
7823 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
SWITHCH |
23+ |
SOD1231206 |
70942 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
AMPHENOL |
16+ |
CONNECTOR |
7699 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
HSD278KRF-E芯片相关品牌
HSD278KRF-E规格书下载地址
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- HSD882
- HSD880
- HSD88
- HSD879D
- HSD879
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- HSD667A
- HSD471A
- HSD471
- HSD468
- HSD32M64B8A-F10L
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- HSD32M64B8A-12
- HSD32M64B8A-10L
- HSD32M64B8A-10
- HSD32M64B8A
- HSD32M32M4V-F13
- HSD32M32M4V-F12
- HSD32M32M4V-F10L
- HSD32M32M4V-F10
- HSD32M32M4V-13
- HSD32M32M4V-12
- HSD32M32M4V-10L
- HSD32M32M4V-10
- HSD32M32M4V
- HSD313
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- HSD16M72D18A-F10
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抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS -117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS -117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS -117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。 特点 •电甄
2013-1-28
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