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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HSC200180RJ | 封装/外壳：轴向，盒 包装：托盘 描述：RES CHAS MNT 180 OHM 5% 200W 电阻器 底座安装电阻器 | TE |   |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP |
12+ |
SOP28 |
398 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Bychip/百域芯 |
21+ |
SOD523 |
30000 |
优势供应 品质保障 可开13点发票 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOD-523 |
2008 |
新进库存/原装 |
|||
MICROCHIP |
23+ |
SOP28 |
398 |
正规渠道,只有原装! |
|||
MICROCHIP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
HITACHI/日立 |
23+ |
SOD-523 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
2780 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
TWPEC |
24+ |
SOD523 |
2000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
MICROCHIP |
24+ |
SOP28 |
10000 |
公司只有原装 |
|||
MICROCHIP |
23+ |
SOP28 |
10000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
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2021-2-16HSF-48-19-BF
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双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
2013-3-2HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS -117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS -117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS -117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。 特点 •电甄
2013-1-28
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