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N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.38Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

500V0.38(ohm)N-channelMOSFET

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MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MGCHIP

500V0.38(ohm)N-channelMOSFET

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MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MGCHIP

N-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

500VCoolMOS짧CEPowerTransistor

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
更新时间:2025-8-1 18:33:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
21+
LGA-12
8860
只做原装,质量保证
ST(意法)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ST
24+
SMD
17900
加速计
ST/意法半导体
24+
LGA-12
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
ST/意法半导体
21+
LGA-12
8860
原装现货,实单价优
ST/意法
22+
N
30000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
N/A
2023+
SOP8
50000
全新原装现货
ST
2511
VFLGA-12221
16900
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
ST意法
20+
LGA12
17000
加速度计,只做全新原装
IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样

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    双抗辐射,非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相,双,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协,4

    2013-3-2
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    抗辐射双通道,逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协,4423BRH是反转,双通道,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协

    2013-3-2
  • HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器

    硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK(分钟)。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路,以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门(RSG)的过程中,HS-117RH都难单事件闭锁,并经过特别设计,提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄

    2013-1-28