HSA506R8J价格
参考价格:¥17.3247
型号:HSA506R8J 品牌:TE 备注:这里有HSA506R8J多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,HSA506R8J批发/采购报价,HSA506R8J行情走势销售排行榜,HSA506R8J报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HSA506R8J | 封装/外壳:轴向,盒 包装:散装 描述:RES CHAS MNT 6.8 OHM 5% 50W 电阻器 底座安装电阻器 | TEConnectivityPassiveProductTE Connectivity Passive Product TE Connectivity Passive ProductTE ConnectivityPassiveProduct |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MEGGITT |
23+ |
NA |
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CGS |
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电阻 |
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双抗辐射,非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相,双,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协,4
2013-3-2HS9-4423BRH-抗辐射双通道,逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道,逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协,4423BRH是反转,双通道,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK(分钟)。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路,以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门(RSG)的过程中,HS-117RH都难单事件闭锁,并经过特别设计,提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄
2013-1-28
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