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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HS9-1825ARHSLASHPROTO | RadiationHardenedHigh-Speed,DualOutputPWM TheRadiationHardenedHS-1825ARH,HS-1825AEHPulseWidthModulatorisdesignedtobeusedinhighfrequencyswitched-modepowersuppliesandcanbeusedineithercurrent-modeorvoltage-mode.Itiswellsuitedforsingle-endedboostconverterapplications. Features •ElectricallyScreene | Intersil Intersil Corporation | ||
HS9-1825ARHSLASHPROTO | RadiationHardenedHigh-Speed,DualOutputPWM 文件:131.72 Kbytes Page:2 Pages | Intersil Intersil Corporation | ||
RadiationHardenedHigh-Speed,DualOutputPWM TheRadiationHardenedHS-1825ARH,HS-1825AEHPulseWidthModulatorisdesignedtobeusedinhighfrequencyswitched-modepowersuppliesandcanbeusedineithercurrent-modeorvoltage-mode.Itiswellsuitedforsingle-endedboostconverterapplications. Features •ElectricallyScreene | Intersil Intersil Corporation | |||
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IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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HS9-1825ARHSLASHPROTO规格书下载地址
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HS8916CM-31品牌ONMICRO封装LGA38批号21+原装现货
公司成立于2009年,是一家中国电子元器件贸易百强企业、深圳半导体协会理事单位、电子元器件供应商,OEM合作订货渠道商,国际独立分销商。公司总部位于香港,在台湾、新加坡、深圳、美国有独立办、事处,公司常备现货16000余种,年销售额近十亿元人民币。
2023-1-9HS9148B
HS9148B,红外遥控编码电电路,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-14HS9001C
联系人:陈先生电话:18018738768(微信同号) QQ:1005525513 我司有一手货源,价优,可以长期提供大量,优质的货源,专业的渠道,物美价廉是公司与客户之间共同的理念 由于公司型号众多,无法一一上传,如在网站找不到您要的产品,请联系业务员,本司可提供电子元器件配单服务 我司部分现货库存如下: HN5565CG H
2020-4-15HS9-2100RH-抗辐射高频半桥驱动
抗辐射高频半桥驱动该辐射2100RH硬化HS是一个高频率,半桥100V的N沟道MOSFET驱动器IC,这是一个功能,引脚到引脚Intersil的HIP2500更换和行业标准2110种。低端和高边栅极驱动器可以独立控制。这给出了在死区时间选择用户最大的灵活性和驱动程序的协议。此外,该器件具有片上错误检测和校正电路,可监控的高端的状态闩锁并比较它的显信号。如果他们不同意,一设置或复位脉冲生成正确的高侧闩锁。此功能保护的高一边,从特修斯闩锁。在高侧欠压供应部队,何低。当这返回一个有效的供应电压,议员将前往国家显。在低侧电源欠压部队既劳和HO低。当该供应变得有效,劳返
2013-3-3HS9-4423BRH-抗辐射双通道,逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道,逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协,4423BRH是反转,双通道,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2HS9-4424BRH-双抗辐射,非逆变电源的MOSFET驱动器
双抗辐射,非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相,双,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协,4
2013-3-2
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