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6.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 6N65 is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications of switching p

UTC

友顺

Drain Current ID= 6.2A@ TC=25C

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ISC

无锡固电

650V N-Channel Power MOSFET

文件:1.99995 Mbytes Page:8 Pages

DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd.

迪一电子山东迪一电子科技有限公司

N-CHANNEL POWER MOSFET

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ZSELEC

淄博圣诺电子

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:2.58093 Mbytes Page:7 Pages

SUNMATE

森美特

更新时间:2025-8-8 23:00:01
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    抗辐射双通道,逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协,4423BRH是反转,双通道,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协

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