型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

633MSeriesD-SubConnectors|MachinedPins|HighDensityThreeContactRowswith0.350(8.89mm)FootprintRightAngleBend|Plug

Features HighDensityThreeContactRowswith.350(8.89mm)FootprintRightAngleBendwithMachinedContacts .090(2.29mm)ContactSpacing0.078(1.98mm)RowSpacing PlugandReceptaclein15,26,44or62ContactSizes PinandSocketContactMatingDesignwithP.C.TailTermination M

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亚得电子亚得电子(东莞)有限公司

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633SeriesD-SubConnectors|HighDensityThreeContactRowswith.350(8.89mm)FootprintRightAngleBend|Plug

Features HighDensityThreeContactRowswith.350(8.89mm)FootprintRightAngleBend StandardContactSpacingandRowSpacing Optional9thpinrecessedon15ContactSizeinaccordancewithVESADisplayDataChannelStandard PlugandReceptaclein15,26,44,62or78ContactSizes

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633WSeriesD-SubConnectors|Waterproof|HighDensity|0.090(2.29mm)ContactSpacingx0.078(1.98mm)RowSpacing|RightAngle|Plug

Features HighDensityWaterproofD-Sub .090(2.29mm)ContactSpacingx.078(1.98mm)RowSpacing PlugandReceptaclein15,26or44ContactPinSizes PinContactMatingDesignwithP.C.TailTerminationinRightAngle,StraightorSolderCupTermination PlugShellIndentsProvideGro

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LowFrequencies

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OSCILENT

Oscilent Corporation

OSCILENT

60VComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor

文件:1.13096 Mbytes Page:10 Pages

ACE

ACE Technology Co., LTD.

ACE

HS633-SERIES产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HS633-SERIES

  • 功能描述

    Peripheral IC

更新时间:2025-8-2 17:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Wurth/伍尔特
2年内
NA
150000
英博尔原装优质现货订货渠道商
EDACInc
24+
999
KeystoneElectronics
1210
全新原装 货期两周
伍尔特
2018
Reel
16900
原厂优势渠道,可订货,交期快,优势出货
WURTH/伍尔特
2447
RJ45
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
WE
23+
RJ45
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
IR
2022+
TO-252
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
INFINEON
23+
7000
N/A
24+/25+
1000
原装正品现货库存价优

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    公司成立于2009年,是一家中国电子元器件贸易百强企业、深圳半导体协会理事单位、电子元器件供应商,OEM合作订货渠道商,国际独立分销商。公司总部位于香港,在台湾、新加坡、深圳、美国有独立办、事处,公司常备现货16000余种,年销售额近十亿元人民币。

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    抗辐射双通道,逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协,4423BRH是反转,双通道,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协

    2013-3-3