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HS5D	Surface Mount High Efficient Rectifier HS5A Through HS5M Features Highcurrentcapability\| HighReliability\| Highforwardsurgecurrentcapability\| Solderdip260°Cmax.10s,perJESD22-B106\|	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司
HS5D	封装/外壳：DO-214AB，SMC 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	ETC 知名厂家	ETC
HS5D	5.0 AMPS. High Efficient Surface Mount Rectifiers 文件：52.46 Kbytes Page：2 Pages	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司
HS5D	5.0 AMPS. High Efficient Surface Mount Rectifiers 文件：248 Kbytes Page：2 Pages	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司
HS5D	5.0 AMPS. High Efficient Surface Mount Rectifiers 文件：438.19 Kbytes Page：2 Pages	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司
HS5D	5.0AMPS High Efficient Surface Mount Rectifiers 文件：201.6 Kbytes Page：2 Pages	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司
HS5D	5.0AMPS High Efficient Surface Mount Rectifiers 文件：427.39 Kbytes Page：4 Pages	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司
HS5D	High Efficient Rectifier 文件：182.54 Kbytes Page：2 Pages	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司
HS5D	5.0AMPS High Efficient Surface Mount Rectifiers 文件：232.03 Kbytes Page：2 Pages	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
HS5D M6G	封装/外壳：DO-214AB，SMC 包装：卷带（TR）描述：DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	ETC 知名厂家	ETC

HS5D产品属性

类型
描述
型号
HS5D
功能描述
整流器 5.0 Amp 200 Volt 150 Amp IFSM
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
反向电压
100 V
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A 反向电流
IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
DO-221AC
封装
Reel

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更新时间：2025-5-16 17:36:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HS5D-02RN	IDEC	23+		444239	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
上海金庆电子技术有限公司	HS5D-12ZRNP		新		5	全新原装货期两周	询价
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原装现货欢迎咨询！
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抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-3

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