HS5819晶体管资料
HS5819别名：HS5819三极管、HS5819晶体管、HS5819晶体三极管
HS5819生产厂家：美国通用电器公司_SEM_美国史普拉各电气公司
HS5819制作材料：Si-PNP
HS5819性质：低频或音频放大 （LF）_TR
HS5819封装形式：直插封装
HS5819极限工作电压：50V
HS5819最大电流允许值：0.75A
HS5819最大工作频率：>135MHZ
HS5819引脚数：3
HS5819最大耗散功率：0.5W
HS5819放大倍数：β>150
HS5819图片代号：A-20
HS5819vtest：50
HS5819htest：135000100
- HS5819atest：0.75
HS5819wtest：0.5
HS5819代换 HS5819用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Schottky barrier diodes DESCRIPTION The PRLL5817 to PRLL5819 types are Schottky barrier diodes fabricated in planar technology, and encapsulated in SOD87 hermetically sealed glass SMD packages incorporating ImplotecTM(1) technology. FEATURES • Low switching losses • Fast recovery time • Guard ring protected • Herme | PHILIPS 飞利浦 |   | ||
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES * Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 * For surface mounted applications * Low profile package * Built-in strain relief * Metal to silicon rectifier , majority carrier conduction * Low power loss , High efficiency * High current capability | ZOWIE 智威 | | ||
Sound multiplex demodulator IC for TV in the North American market 文件：109.97 Kbytes Page：11 Pages | PANASONIC 松下 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
9681 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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PHIL |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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恩XP |
24+ |
DO-87 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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恩XP |
25+ |
DO-87 |
32000 |
NXP/恩智浦全新特价PRLL5819即刻询购立享优惠#长期有货 |
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PHI |
26+ |
SOD87 |
12300 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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24+ |
圆柱 |
5989 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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Nexperia |
25+ |
N/A |
20000 |
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恩XP |
25+ |
N/A |
20000 |
原装，请咨询 |
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恩XP |
23+ |
9865 |
原装正品,假一赔十 |
||||
恩XP |
24+ |
N/A |
16000 |
原装正品现货支持实单 |
HS5819规格书下载地址
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2023-3-20HS6222
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2020-9-14HS4-3282-8 原装 特价销售
原装现货 欢迎咨询！
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抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-3
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