HS5811晶体管资料
HS5811别名：HS5811三极管、HS5811晶体管、HS5811晶体三极管
HS5811生产厂家：美国通用电器公司_SEM_美国史普拉各电气公司
HS5811制作材料：Si-PNP
HS5811性质：低频或音频放大 （LF）_TR
HS5811封装形式：直插封装
HS5811极限工作电压：35V
HS5811最大电流允许值：0.75A
HS5811最大工作频率：>100MHZ
HS5811引脚数：3
HS5811最大耗散功率：0.5W
HS5811放大倍数：β>60
HS5811图片代号：A-20
HS5811vtest：35
HS5811htest：100000100
- HS5811atest：0.75
HS5811wtest：0.5
HS5811代换 HS5811用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BiMOS II 12-BIT SERIAL-INPUT, LATCHED SOURCE DRIVERS Designed primarily for use with vacuum-fluorescent displays, the UCN5811A smart power BiMOS II driver features low-output saturation voltages and high output switching speed. These devices contain CMOS shift registers, data latches, and control circuitry, and bipolar high-speed sourcing outputs wi | ALLEGRO |   | ||
VM-1 Application Board 3 文件：409.69 Kbytes Page：11 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | | ||
High IP3, 700 MHz to 2800 MHz, Double Balanced, Passive Mixer, IF Amplifier, and Wideband LO Amplifier 文件：672.48 Kbytes Page：28 Pages | AD 亚德诺 | | ||
High IP3, 700 MHz to 2800 MHz, Double Balanced, Passive Mixer, IF Amplifier, and Wideband LO Amplifier 文件：672.48 Kbytes Page：28 Pages | AD 亚德诺 | | ||
60V, LINEAR 75mA ADJUSTABLE CURRENT LED DRIVER 文件：432.99 Kbytes Page：14 Pages | DIODES 美台半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
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原装现货 欢迎咨询！
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抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-3
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