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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
5810-F	BiMOSII10-BITSERIAL-INPUT,LATCHEDSOURCEDRIVERSWITHACTIVE-DMOSPULL-DOWNS TheUCN5810AF,UCN5810EPF,andUCN5810LWFcombinea10-bitCMOSshiftregisterandaccompanyingdatalatches,controlcircuitry,bipolarsourcingoutputswithDMOSactivepull-downs.Designedprimarilytodrivevacuum-fluorescentdisplays,the60Vand-40mAoutputratingsalsoallowthesedevice	Allegro Allegro MicroSystems
ACT5810	NineChannelPMUforMobilePhones GENERALDESCRIPTION Thepatent-pendingACT5810isacomplete,integratedpowermanagementsolutionthatisidealforCDMAandGSMmobilephones.ThisdeviceintegratesalinearLi+batterychargerwithaninternalpowerMOSFET,sixlowdropoutlinearregulators(LDOs),aresetoutput,andtwoN-C	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.
AL5810	ADJUSTABLE60VLINEARLEDDRIVER Features -2.0Vto60VWideInputVoltageRange -AnExternalResistorforSettingCurrent -LowReferenceVoltage(VRSET=0.5V) -AdjustableSinkorSourceLEDCurrentUpto 200mA/200mA(W-DFN2020-3/TO-252) -±3LEDCurrentTolerance@RoomTemp -ParallelDevicestoIncreaseRegulatedCur	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
5810	HIGHPERFORMANCEFLEXIBLE1VALVE 文件：544.65 Kbytes Page：2 Pages	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团
AG5810	60WIEEE802.3btPDModule 文件：689.45 Kbytes Page：22 Pages	SILVERTEL Silver Telecom 2019

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更新时间：2024-4-26 11:36:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳兆威电子有限公司	ACT5830QJCGN-T	ACTIVE	2019	QFN40	55000	进口原装现货一定自己库存	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ACT5830QJ182-T	ACTIVE	2021+	QFN	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市凌旭科技有限公司	ACT5830QJCGN-T	ACTIVE	2016+	QFN40	5254	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	ACT5810	ACTIVE-SEMI	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
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深圳市杰顺创科技有限公司	ACT5830QJ	ACTIVE-SEMI	21+	QFN40	3800		询价
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HS3001
HS3001
2023-6-13
HS6T24SA 拇指操纵杆，2 - 轴数字（机械开关）输出
HS6T24SA
2023-3-20
HS6222
HS6222,红外遥控编码电电路，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-14
HS6221
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2020-9-14
HS4-3282-8 原装特价销售
原装现货欢迎咨询！
2020-6-4
HS-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-3