位置:首页 > IC中文资料 > HS4260

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

9.6mm Discrete HFET

9.6mm Discrete HFET ● 9600 m x 0.5 m ● Nominal Pout of 37 -dBm at 6.0 GHz ● Nominal Gain of 9.5 -dB at 6.0 GHz ● Nominal PAE of 52 at 6.0 GHz ● Suitable for high reliability applications ● 0,572 x 2,324 x 0,102 mm (0.023 x 0.092 x 0.004 in.)

TRIQUINT

9.6mm Discrete HFET

9.6mm Discrete HFET ● 9600 m x 0.5 m ● Nominal Pout of 37 -dBm at 6.0 GHz ● Nominal Gain of 9.5 -dB at 6.0 GHz ● Nominal PAE of 52 at 6.0 GHz ● Suitable for high reliability applications ● 0,572 x 2,324 x 0,102 mm (0.023 x 0.092 x 0.004 in.)

TRIQUINT

5-V Low-Drop Voltage Regulator

Features • Low-drop voltage • Very low quiescent current • Low starting current consumption • Integrated temperature protection • Protection against reverse polarity • Input voltage up to 42 V • Overvoltage protection up to 65 V (≤ 400 ms) • Short-circuit proof • Suited for automotive ele

SIEMENS

西门子

NMOS 4-BIT MICROCONTROLLER

NMOS 4-BIT MICROCONTROLLER

TOSHIBA

东芝

POW-R-BLOK Dual SCR/Diode Isolated Module 60 Amperes / Up to 1600 Volts

文件:106.05 Kbytes Page:4 Pages

POWEREX

更新时间:2026-3-18 14:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TriQuint
2308+
原厂原包
6850
十年专业专注 优势渠道商正品保证
XKB CONNECTIVITY(中国星坤)
24+
con
10000
查现货到京北通宇商城
TRIQUIN
25+
N/A
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
TriQuint
16+
NA
3000
全新进口原装
CHINA
22+
N/A
20000
只做原装 品质保障
TRIQUIN
2019+
NA
6992
原厂渠道 可含税出货
QORVO
21+
NA
884
全新原装正品、可开增票、可溯源、一站式配单
TRIQUINT
24+
晶体管
884
“芯达集团”专营军工、宇航级IC原装进口现货
ROHM/罗姆
23+
SMD
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
24+
N/A
53000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

HS4260数据表相关新闻

  • HS3001

    HS3001

    2023-6-13
  • HS2264A-R4

    HS2264A-R4,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-10-1
  • HS6221

    HS6221,红外遥控编码电电路,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-9-14
  • HS4-3282-8 原装 特价销售

    原装现货 欢迎咨询!

    2020-6-4
  • HS2241P

    HS2241P,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-3-11
  • HS-4423BRH-抗辐射双通道,逆变电源的MOSFET驱动器

    抗辐射双通道,逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协,4423BRH是反转,双通道,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协

    2013-3-3