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型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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HS3FB | Surface Mount High Efficient Rectifier HS3AB Through HS3MB Features Low profile package Ideal for automated placement Glass passivated chip junction High forward surge capabilty Super fast reverse recovery time Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak f 260 °C | RFE RFE international | ||
HS3FB | 封装/外壳:DO-214AA,SMB 包装:卷带(TR) 描述:DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | |
HS3FB | 50ns, 3A, 300V, High Efficient Recovery Rectifier | TSC 台湾半导体 | ||
HS3FB | 3.0 AMPS. High Efficient Surface Mount Rectifiers 文件:249.09 Kbytes Page:2 Pages | TSC 台湾半导体 | ||
HS3FB | 3.0AMPS High Efficient Surface Mount Rectifiers 文件:136.38 Kbytes Page:2 Pages | TSC 台湾半导体 | ||
HS3FB | 3.0AMPS High Efficient Surface Mount Rectifiers 文件:442.05 Kbytes Page:4 Pages | TSC 台湾半导体 | ||
HS3FB | 3.0 AMPS. High Efficient Surface Mount Rectifiers 文件:243.54 Kbytes Page:2 Pages | LUGUANG 鲁光电子 | ||
封装/外壳:DO-214AA,SMB 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC |
HS3FB产品属性
- 类型
描述
- 型号
HS3FB
- 功能描述
整流器 3A,300V,GLASS Pass HIGH Eff SMD Rect
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 产品
Standard Recovery Rectifiers
- 反向电压
100 V
- 恢复时间
1.2 us
- 正向连续电流
2 A
- 最大浪涌电流
35 A 反向电流
- IR
5 uA
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
DO-221AC
- 封装
Reel
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TAIWAN SEMONDUCTOR |
24+ |
NA/ |
12000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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TSC |
19+ |
SMB(DO-214AA) |
200000 |
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TSC |
23+ |
SMB(DO-214AA) |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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TaiwanSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
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TSC |
20+ |
SMB(DO-214AA) |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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TSC/台湾半导体 |
2019+PB |
SMB(DO-214AA) |
68000 |
原装正品 可含税交易 |
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TSC/台半 |
24+ |
DO-214AA |
60000 |
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TSC/台半 |
23+ |
DO-214AA |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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TSC/台湾半导体 |
新年份 |
SMB(DO-214AA) |
68000 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
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Taiwan Semiconductor Corporati |
25+ |
DO-214AA(SMB) |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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2023-6-13HS2264A-R4
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HS2241P,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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抗辐射双通道,逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协,4423BRH是反转,双通道,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-3
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