型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
HS2907A

包装:散装 描述:NPN TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

Microchip

微芯科技

包装:散装 描述:SMALL-SIGNAL BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

Microchip

微芯科技

60 V PNP General-Purpose Transistor

Features • High DC Current Gain (hFE) Range: 100 ~ 300 • High-Current Gain Bandwidth Product (fT): 200 MHz (Minimum) • Maximum Turn-On Time (ton): 45 ns • Maximum Turn-Off Time (toff): 100 ns • Ultra-Small Surface-Mount Package: SOT-223 (PZT2907A) Description The PN2907A, MMBT2907A, and

ONSEMI

安森美半导体

PNP General-Purpose Transistor

Description This device is designed for use with general−purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. These devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free and are RoHS compliant.

ONSEMI

安森美半导体

60 V PNP General-Purpose Transistor

Features • High DC Current Gain (hFE) Range: 100 ~ 300 • High-Current Gain Bandwidth Product (fT): 200 MHz (Minimum) • Maximum Turn-On Time (ton): 45 ns • Maximum Turn-Off Time (toff): 100 ns • Ultra-Small Surface-Mount Package: SOT-223 (PZT2907A) Description The PN2907A, MMBT2907A, and

ONSEMI

安森美半导体

500mA LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR

GENERAL DESCRIPTION The AMS2907 series of adjustable and fixed voltage regulators are designed to provide 500mA output current and to operate down to 1V input-to-output differential. The dropout voltage of the device is guaranteed maximum 1.3V at maximum output current, decreasing at lower load c

ADMOS

808 MHz Center Frequency

文件:44.39 Kbytes Page:2 Pages

KR

KR Electronics, Inc.

HS2907A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HS2907A

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    TRANS GP BJT PNP 0.6A 3PIN HSOT - Bulk

更新时间:2025-8-12 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HS
24+
NA/
25
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
YANGJIE/扬杰科技
24+
SMB
8000
只做原装,欢迎询价,量大价优
TSC
SUBSMA
68000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
VISHAYMAS
25+23+
DO-214AC
24601
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
YANGJIE/扬杰科技
24+
SMB
50000
全新原装,一手货源,全场热卖!
HYGROUP台产
24+
SMB
50000
Semtech Corporation
23+
12-DFN(3x3)
6500
原装正品 正规报关 可开增值税票
TSC
23+
SUBSMA
7300
专注配单,只做原装进口现货
F
23+
65480
TSC
2025+
SUBSMA
7695
全新原厂原装产品、公司现货销售

HS2907A数据表相关新闻

  • HS3001

    HS3001

    2023-6-13
  • HS2264A-R4

    HS2264A-R4,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-10-1
  • HS4-3282-8 原装 特价销售

    原装现货 欢迎咨询!

    2020-6-4
  • HS2241P

    HS2241P,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-3-11
  • HS-2100RH-抗辐射高频半桥驱动

    抗辐射高频半桥驱动 该辐射2100RH硬化HS是一个高频率,半桥100V的N沟道MOSFET驱动器IC,这是一个功能,引脚到引脚Intersil的HIP2500更换和行业标准2110种。低端和 高边栅极驱动器可以独立控制。这给出了在死区时间选择用户最大的灵活性和驱动程序的协议。此外,该器件具有片上错误检测和校正电路,可监控的高端的状态闩锁并比较它的显信号。如果他们不同意,一设置或复位脉冲生成正确的高侧闩锁。此功能保护的高一边,从特修斯闩锁。在高侧欠压供应部队,何低。当这返回一个有效的供应电压,议员将前往国家显。在低侧电源欠压部队既劳和HO低。当该供应变得有效,劳返

    2013-3-3
  • HS-4423BRH-抗辐射双通道,逆变电源的MOSFET驱动器

    抗辐射双通道,逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协,4423BRH是反转,双通道,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协

    2013-3-3