| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) IGBT Power Module Preliminary data • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate • RG on,min = 22 Ohm | SIEMENS 西门子 |   | ||
(-) 10 Volt Precision Reference Series Features Very High Accuracy : 10,000 Volts +-2.5mV(L and U) 10mA Output Current capability Low Noise Short Circuit Protected The AD2700 family of precision 10 volt references offer the user excellent accuracy and stability at a moderate price by combining the recognized advantag | AD 亚德诺 | | ||
2/2 way Angle Seat Valve, manually operated, for media up to 180 °C 文件：1.42613 Mbytes Page：6 Pages | BURKERT 宝帝流体控制系统 | | ||
Lowpass Filter 文件：50.61 Kbytes Page：2 Pages | KR KR Electronics, Inc. | | ||
DUAL 5V RAIL-TO-RAIL PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：48.82 Kbytes Page：6 Pages | ALD | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亚德诺) |
24+ |
标准封装 |
8813 |
我们只是原厂的搬运工 |
|||
AD |
DIP14 |
3100 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
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ADI/亚德诺 |
2020+ |
3300 |
绝对全新原装,一片也是批量价. |
||||
AD |
23+24 |
PLCC44 |
36540 |
专营AD原装正品.模拟、混合和数字信号处理芯片 |
|||
AD |
22+ |
DIP |
8200 |
全新原装现货!自家库存! |
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AD |
22+ |
DIP14 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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ADI |
8119 |
CDIP |
150 |
普通 |
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ADI/LINEAR |
24+ |
DIP |
58209 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
ADI(亚德诺) |
23+ |
N/A |
10000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
|||
24+ |
N/A |
67000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
HS2702JD规格书下载地址
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2023-6-13HS2264A-R4
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2020-6-4HS2241P
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抗辐射高频半桥驱动 该辐射2100RH硬化HS是一个高频率，半桥100V的N沟道MOSFET驱动器IC，这是一个功能，引脚到引脚Intersil的HIP2500更换和行业标准2110种。低端和 高边栅极驱动器可以独立控制。这给出了在死区时间选择用户最大的灵活性和驱动程序的协议。此外，该器件具有片上错误检测和校正电路，可监控的高端的状态闩锁并比较它的显信号。如果他们不同意，一设置或复位脉冲生成正确的高侧闩锁。此功能保护的高一边，从特修斯闩锁。在高侧欠压供应部队，何低。当这返回一个有效的供应电压，议员将前往国家显。在低侧电源欠压部队既劳和HO低。当该供应变得有效，劳返
2013-3-3HS-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
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