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12N60	12Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET TheUTC12N60areN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistors(MOSFET)whichareproducedusingUTCsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thesedevicesaresuitedforhighefficiencyswitchmodepowersupply.Tominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingp	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
12N60	12Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET 文件：358.2 Kbytes Page：7 Pages	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
12N60	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：897.58 Kbytes Page：11 Pages	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司
12N60	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：898.09 Kbytes Page：11 Pages	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司
12N60	12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：897.54 Kbytes Page：11 Pages	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

HS12N60PA供应商更多...

更新时间：2025-7-30 23:00:01

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2023-3-20
HS1-201HSRH-Q 本公司只做进口原装正品，欢迎新老客户的支持。
做的是诚信，卖的是良心。
2021-1-29
HS1-6664RH-8 可擦除可编程ROM
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2020-10-30
HS-100B
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2019-11-4
HS-2100RH-抗辐射高频半桥驱动
抗辐射高频半桥驱动该辐射2100RH硬化HS是一个高频率，半桥100V的N沟道MOSFET驱动器IC，这是一个功能，引脚到引脚Intersil的HIP2500更换和行业标准2110种。低端和高边栅极驱动器可以独立控制。这给出了在死区时间选择用户最大的灵活性和驱动程序的协议。此外，该器件具有片上错误检测和校正电路，可监控的高端的状态闩锁并比较它的显信号。如果他们不同意，一设置或复位脉冲生成正确的高侧闩锁。此功能保护的高一边，从特修斯闩锁。在高侧欠压供应部队，何低。当这返回一个有效的供应电压，议员将前往国家显。在低侧电源欠压部队既劳和HO低。当该供应变得有效，劳返
2013-3-3
HS-117-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS-117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄
2013-1-28

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