位置：首页 > IC中文资料第3920页 > HS-5827
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Silicon Power Rectifier Diode, 50 Amp Description: The NTE5826 thru NTE5829 are silicon power rectifier diodes in a press–fit type package designed for use in all medium–current applications or for higher current industrial alternators and chassis mounted power supply rectifiers. Features: ● 50 Amp @ TC = +150°C ● 600 | NTE |   | ||
Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) | CENTRAL | | ||
POWER ZENERS DESCRIPTION Fused-in-glass, metallurgically-bonded 5 watt zeners. FEATURES • 2 Times Greater Surge Rating than Conventional 10 Watt Zeners • Small Physical Size | MICROSEMI 美高森美 | | ||
Dual 12-bit, 3.3V, 260MSPS, High Speed D/A Converter 文件：666.65 Kbytes Page：13 Pages | INTERSIL | | ||
16-A 12-V Input Adjustable Integrated Switching Regulator 文件：173.98 Kbytes Page：10 Pages | TI 德州仪器 | |
HS-5827产品属性
- 类型
描述
- 型号
HS-5827
- 功能描述
烙铁 SOLDERING TIP
- RoHS
否
- 制造商
Weller
- 产品
Soldering Stations
- 类型
Digital, Iron, Stand, Cleaner
- 瓦特
50 W
- 最大温度
+ 850 F
- 电缆类型
US Cord Included
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UTC/友顺 |
23+ |
SOT-26TR |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
ST |
26+ |
DO-35 |
60000 |
只有原装 可配单 |
|||
PCT |
ROHS |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
PYUNGCHANG |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ANY |
22+ |
DIODE |
20000 |
公司只做原装 品质保证 |
|||
UNIZON |
05+ |
原厂原装 |
4651 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
ANY |
24+ |
DIODE |
52500 |
只做全新原装进口现货 |
|||
ST |
23+ |
DO-35 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ANY |
23+ |
DIODE |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
ANY |
24+ |
DIODE |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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- HS574AU/B
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- HS574AT/B/LCC
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- HS574AT
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2023-3-20HS6222
HS6222,红外遥控编码电电路，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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2020-9-14HS4-3282-8 原装 特价销售
原装现货 欢迎咨询！
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抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-3
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