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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 53A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.07Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

47A竊?00V N-CHANNEL MOSFET

文件:277.86 Kbytes Page:7 Pages

KIA

可易亚半导体

600V 0.07(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

600V 0.07(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

600V N-Channel MOSFET

文件:559.23 Kbytes Page:8 Pages

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司

更新时间:2025-8-13 15:01:01
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