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PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A)

Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

IRF

International Rectifier

IRF

THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs

Features •40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical154nC) •LowCrss(typical101pF) •Fastswitching •100%avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

THINKISEMI

THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs

Features •40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical154nC) •LowCrss(typical101pF) •Fastswitching •100%avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

THINKISEMI

THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs

Features •40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical154nC) •LowCrss(typical101pF) •Fastswitching •100%avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

THINKISEMI

THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs

Features •40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical154nC) •LowCrss(typical101pF) •Fastswitching •100%avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

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更新时间:2025-7-30 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
AG62mm
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
PANASONIC/松下
23+
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880000
明嘉莱只做原装正品现货
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SMD
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
EPSON/爱普生
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只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品!
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英飞凌优势渠道全系列在售
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SOD-123
20000
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展
EPSON/爱普生
23+
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原装正品--可开增值税发票量大可订货
JDSU
24+
9

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  • HR91105A

    HR91105A,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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