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B31N20D	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier
FF31N20D	THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs Features •40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical154nC) •LowCrss(typical101pF) •Fastswitching •100%avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
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IIRFB31N20D	N-ChannelMOSFETTransistor 文件：339.03 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更新时间：2025-6-4 20:00:01

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