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HRLFS120N06H

60V N-Channel Trench MOSFET

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SEMIHOW

HRLFS120N06H

Trench MOSFET

SEMIHOW

Silicon N-Channel Power MOSFET

General Description: CS120N06 C8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by advanced Trench Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system min

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60V N-Ch Power MOSFET

Feature ◇ High Speed Power Switching, Logic Level ◇ Enhanced Body diode dv/dt capability ◇ Enhanced Avalanche Ruggedness ◇ 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇ Lead Free, Halogen Free Application ◇ Synchronous Rectification in SMPS ◇ Hard Switching and High Speed Circuit ◇ DC/DC in T

HUNTECK

恒泰柯半导体

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

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FOSTER

福斯特半导体

OptiMOS Power-Transistor

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