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HN1B01FU-Y	Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=−50V,IC=−150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
HN1B01F	Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=−50V,IC=−150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
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HN1B01F	Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=−50V,IC=−150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
HN1B01F	NPNEPITAXIALTYPE(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=−50V,IC=−150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
HN1B01F	SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications 文件：364.15 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝

HN1B01FU-Y产品属性

类型
描述
型号
HN1B01FU-Y
制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

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更新时间：2025-5-16 14:04:00

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34690-0200 39-30-6047 MX23A26NF1 1-794617-2 173681-1 1375820-6 501330-0700 15326428 1-480435-0 211PC062S4149 43645-0900 43020-1000 521206-1 2050046-1 44432-2401 BZ-2RD-A2 1744417-2 51004-0800 1-1469492-7 15494586 15494575 02-06-2131 43020-0600 43020-1600
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HN4821CG，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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