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HN1B01FU-GR	Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=−50V,IC=−150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
HN1B01F	Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=−50V,IC=−150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
HN1B01F	Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=−50V,IC=−150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
HN1B01F	Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=−50V,IC=−150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
HN1B01F	NPNEPITAXIALTYPE(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Q1: Highvoltageandhighcurrent :VCEO=−50V,IC=−150mA(max) HighhFE:hFE=120~400 ExcellenthFElinearity :hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) Q2: Highvoltageandhighcurrent :VCE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
HN1B01F	SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)Audio-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications 文件：364.15 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

HN1B01FU-G产品属性

类型
描述
型号
HN1B01FU-G
制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
DUAL PNP TRANSISTOR

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更新时间：2024-6-6 10:06:00

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深圳市辰德隆电子科技有限公司	HN1B01FU-GR	TOSHIBA/东芝	23+	SOT363	6000	有单必成,承诺原装正品	询价
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HN4821CG，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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