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HMC618ALP3E

GaAs SMT pHEMT LOW NOISE AMPLIFIER

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亚德诺

HMC618ALP3E

GaAs SMT pHEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 1.2 - 2.2 GHz

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HMC618ALP3E

封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 包装:托盘 描述:IC AMP LTE 1.2GHZ-2.2GHZ 16SMT RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器

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亚德诺

封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 包装:带 描述:IC AMP LTE 1.2GHZ-2.2GHZ 16SMT RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器

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亚德诺

更新时间:2025-9-27 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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QFN16EP(3x3)
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