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HMC327MS8GETR

封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器

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亚德诺

GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz

General Description The HMC327MS8G(E) is a high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC power amplifi er which operates between 3 and 4 GHz. The amplifi er is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded package with an exposed base for improved RF and thermal perform

HITTITE

GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz

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GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz

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GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz

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GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz

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HMC327MS8GETR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HMC327MS8GETR

  • 制造商

    Hittite Microwave Corp

  • 功能描述

    HMC327 Series 3 - 4 GHz GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 W Power Amplifier - MSOP-8EP

更新时间:2026-7-30 18:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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