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HM2N25MR

高压MOS

hmpowersemi

虹美功率

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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FOSTER

福斯特半导体

TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS

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Motorola

摩托罗拉

High Energy Power FET

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-9-28 17:59:00
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    深圳科雨电子有限公司,联系人:卢小姐 手机:18975515225 原装正品 大量现货,有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信:wei555222777

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