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HM2301F

丝印代码:A1SHB;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output

Description: The NTE2301 is a silicon NPN power transistor in a TO218 type package designed for use in large screen deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Safe Operating Area @ 50µs = 20A, 400V • Switchin

NTE

Reflective Photosensor

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PANASONIC

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PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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TI

德州仪器

更新时间:2026-7-23 13:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NK/南科功率
2511
SOT23
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
NK/南科功率
SOT23
360000
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低

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