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60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralDescription The20N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesignto provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

EVVOSEMI

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件:897.38 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

FastSwitching

文件:67.37 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET

文件:193.72 Kbytes Page:2 Pages

CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd

重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司

CHONGQING
更新时间:2025-8-5 8:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装现货假一赔十
VB
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TO-252251
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    深圳科雨电子有限公司,联系人:卢小姐手机:18975515225 原装正品大量现货,有需要的可以联系我QQ:97877805微信:wei555222777

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    HLMP-AB11-L0T00-椭圆形的精密光学性能的AlInGaP和InGaN灯这些精密光学性能椭圆形发光二极管专门设计的全彩色/视频和乘客信息标志。椭圆形的形辐射模式(35°×70°),高发光强度确保这些设备都是优秀的广为查看室外应用领域宽视角,在阳光下的可读性必不可少的。这些灯有很顺利的,匹配的辐射确保一致的模式全彩色的颜色混合应用程序,消息均匀横跨视角标志。高效率LED材料在这些灯的使用:铝磷化镓铟(采用AlInGaP)为黄色和红色,和铟氮化镓(氮化铟镓)为蓝色和绿色。每个灯提前光学级环氧树脂产品优越的高温和高水分阻力室

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