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1200VαSiCSiliconCarbideSchottkyBarrierDiode

Features •ProprietaryαSiCSchottkyBarrierDiodetechnology •Negligiblereverserecoverycurrent •Maximumoperatingjunctiontemperatureof175°C •Improvedswitchinglossesvs.Sibipolardiodes •Positivetemperaturecoefficientforeaseofparalleling Applications RenewableIndustr

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER

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PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER

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Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss

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更新时间:2025-8-3 16:00:01
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AOS/万代
23+
TO247
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