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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
HM150N03

丝印代码:HM150N03;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:935.34 Kbytes Page:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM150N03

N沟道中压大电流MOS(100V以下)

HMPOWERSEMI

虹美功率

丝印代码:HM150N03D;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:844.21 Kbytes Page:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

丝印代码:HM150N03K;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:680.6 Kbytes Page:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

N沟道中压大电流MOS(100V以下)

HMPOWERSEMI

虹美功率

N沟道中压大电流MOS(100V以下)

HMPOWERSEMI

虹美功率

丝印代码:150N03LD;OptiMOS?? Power-Transistors

文件:325.64 Kbytes Page:10 Pages

INFINEON

英飞凌

OptiMOS?? Power-Transistor

文件:318.56 Kbytes Page:9 Pages

INFINEON

英飞凌

OptiMOS2 Power-Transistor

文件:224.94 Kbytes Page:9 Pages

INFINEON

英飞凌

OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET

文件:306.08 Kbytes Page:9 Pages

INFINEON

英飞凌

丝印代码:TB;4.5V Drive Nch MOSFET

文件:1.12527 Mbytes Page:7 Pages

ROHM

罗姆

HM150N03产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装(Package):

    TO-220

  • 沟道(Polarity):

    N沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    30.00V

  • ID(Max)ID(A):

    150.00A

  • IDM:

    500.00A

  • VTH(Typ):

    1.70V

  • VGS:

    20.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    3.00mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    4.40mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible):

    BSC150N03/BSO150N03/RMW150N03/AOT210L/AOT424/AOD4132/AOD492/AOD518/IRL3803/IRLR8113/IRL2203N/IRLR7833/IRLR8743

更新时间:2026-8-2 16:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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200
原厂原装仓库现货,欢迎咨询

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