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N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

30VN-ChannelTrenchMOSFET(Preliminary)

Features TrenchPowerTechnology LowRDS(ON) LowGateCharge OptimizedforFast-switchingApplications Applications SynchronousRectificationinDC/DCandAC/DCConverters IsolatedDC/DCConvertersinTelecomandIndustrial

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司

WUMC

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM90N03QusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

爱德微爱德微(深圳)电子有限公司

ADV

N-channel30V-0.005廓-80A-DPAK/IPAKSTripFET??IIIPowerMOSFET

Description ThisdeviceutilizesthelatestadvanceddesignrulesofST’sproprietarySTripFET™technology.ThisissuitableforthemostdemandingDC-DCconverterapplicationwherehighefficiencyistobeachieved. Generalfeatures ■RDS(on)*Qgindustry’sbenchmark ■Conductionlossesreduce

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

文件:565.96 Kbytes Page:7 Pages

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

爱德微爱德微(深圳)电子有限公司

ADV
更新时间:2025-6-24 22:59:01
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