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25Q32	8M-BIT,16M-BITAND32M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI GENERALDESCRIPTION TheW25Q80(8M-bit),W25Q16(16M-bit),andW25Q32(32M-bit)SerialFlashmemoriesprovideastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.The25QseriesoffersflexibilityandperformancewellbeyondordinarySerialFlashdevices.Theyareidealforcodes	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司
25Q32BVAIG	3V32M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI 1.GENERALDESCRIPTION TheW25Q32BV(32M-bit)SerialFlashmemoryprovidesastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.The25QseriesoffersflexibilityandperformancewellbeyondordinarySerialFlashdevices.TheyareidealforcodeshadowingtoRAM,executingcodedirec	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司
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25Q32BV	3V32M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI 文件：1.25174 Mbytes Page：78 Pages	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司
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更新时间：2024-6-14 16:04:01

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深圳市新力诚科技有限公司	25Q32BVFIG	WINBOND	2020+	原厂封装	2800	专营军工航天芯片,只做全新原装,价格超低!	询价
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HK4100F-DC12V-SHG，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
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