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56A, 30V, 0.016 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th

Fairchild

仙童半导体

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Intersil

更新时间:2026-1-3 14:14:01
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