| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SINGLE-CHIP4-BITCMOSMICROCOMPUTER DESCRIPTION The4501Groupisa4-bitsingle-chipmicrocomputerdesignedwithCMOStechnology.ItsCPUisthatofthe4500seriesusingasimple,high-speedinstructionset.Thecomputerisequippedwith two8-bittimers(eachtimerhasareloadregister),interrupts,and10-bitA/Dconverte | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   | |
HIGHVOLTAGEPLANARRESISTORS HighVoltagePlanarResistors 4500Series •Voltagesupto20kVdc. •Powersupto4.5Watts •TCRto50ppm/°C •Customsdesignserviceavailable •Planarconstructiongiveslowinductanceandcapacitance ApplicationNotes Theterminationsshouldnotbebentcloserthan1.5m | WELWYN Welwyn Components Limited |  | | |
4-BITCISCSINGLE-CHIPMICROCOMPUTER4500SERIES 文件：2.81684 Mbytes Page：212 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
customsdesignserviceavailable 文件：432.69 Kbytes Page：3 Pages | TTELECTT Electronics. 梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司 |  | | |
HighVoltagePlanarResistors 文件：449.44 Kbytes Page：3 Pages | TTELECTT Electronics. 梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
20+ |
TO-252-5 |
20500 |
汽车电子原装主营-可开原型号增税票 |
|||
GTM |
22+ |
SOP8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
VBsemi(微碧) |
23+ |
SO8 |
5000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
|||
进口原装 |
23+ |
DIP8 |
1100 |
特价库存 |
|||
21+ |
SOP8 |
510 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
||||
TI |
00/01+ |
SMD-8 |
1254 |
全新原装100真实现货供应 |
|||
ANPEC/茂达电子 |
23+ |
DIP8 |
20000 |
原装正品 欢迎咨询 |
|||
RFMD |
23+ |
QFN |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
SI有批量 |
23+ |
NA/ |
615 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
SI有批量 |
SOP8 |
608900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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2020-8-28HK4100F-DC12V-SHG
HK4100F-DC12V-SHG，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-14HK4100F-DC12V-SHGHK4100F-12V小型信号继电器六脚
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2019-7-26HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3
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