| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SurfaceMountFuses-Thin-FilmSurfaceMount 文件：42.56 Kbytes Page：1 Pages | Littelfuselittelfuse 力特力特公司 |  |   | |
VibrationDampingTapes 文件：345.76 Kbytes Page：3 Pages | 3M 3M Electronics |  | | |
PrecisionPotentiometer/PositionSensor 文件：255.58 Kbytes Page：3 Pages | BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司 |  | | |
HCMOS/TTLOutput 文件：144.02 Kbytes Page：2 Pages | OSCILENT Oscilent Corporation |  | | |
SMTGaAsHBTMMICDIVIDE-BY-8,DC-8.0GHz 文件：298.69 Kbytes Page：6 Pages | Hittite Hittite Microwave Corporation |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-6-2HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28HK4100F-DC12V-SHG
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2019-7-26HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3
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