位置：首页 > IC中文资料第4841页 > HIRL8810
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO | TUOFENG 拓锋半导体 |   | ||
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.37293 Mbytes Page：4 Pages | HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司 | | ||
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET 文件：973.56 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-channel power MOS field effect tube 文件：270.42 Kbytes Page：1 Pages | FUMAN 富满微 | | ||
Thermally Conductive Adhesive Transfer Tapes 文件：175.98 Kbytes Page：7 Pages | 3M | |
HIRL8810产品属性
- 类型
描述
- 型号
HIRL8810
- 制造商
Rodan
- 功能描述
IR REMOTE LED HIRL8810
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ/长电 |
24+ |
TSSOP-8 |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
|||
VBsemi |
2023+ |
TSSOP-8 |
8700 |
原装现货 |
|||
ACTIVE |
23+ |
TQFN55-40 |
3000 |
原装环保房间现货假一赔十 |
|||
AOS/万代 |
23+ |
TSSOP8 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
SCHURTER |
23+ |
NA |
131 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
LEGERITY |
23+ |
QFN |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
FUJITSU |
24+ |
SOP-16 |
3500 |
原装现货,可开13%税票 |
|||
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
220083 |
一级代理，原装现货 |
|||
TE Connectivity AMP Connectors |
23+ |
原厂封装 |
2661 |
只做原装只有原装现货实报 |
|||
3M |
新 |
16 |
全新原装 货期两周 |
HIRL8810规格书下载地址
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2021-6-2HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器 该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率 N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案 先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
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