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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TELECOMCONNECTIONS |  |   | ||
TELECOMCONNECTIONS |  | | ||
TELECOMCONNECTIONS |  | | ||
TELECOMCONNECTIONS |  | | ||
TELECOMCONNECTIONS |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
N/A |
36400 |
正品授权货源可靠 |
||||
H |
23+ |
TO-220 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
HJ/华昕 |
22+ |
35000 |
OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
||||
H |
23+ |
TO-220 |
8400 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
华昕 |
21+ROHS |
TO220F |
28888 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
HJ华昕 |
23+24 |
TO220F |
16790 |
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC |
|||
HSMC |
23+ |
TOP220 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
VB |
2019 |
TO-220 |
55000 |
绝对原装正品假一罚十! |
|||
TELECOMCONNECTIONS |
2022+ |
NA |
10000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
|||
HSMC |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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2021-9-17HK32F103C8T6
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2021-6-2HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
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