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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
superbrightledlamp 文件：192.42 Kbytes Page：3 Pages | ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH |  |   | |
superbrightledlamp 文件：195.93 Kbytes Page：3 Pages | ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
台产 |
24+ |
1806 |
10000 |
全新原装数量均有多电话咨询 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
1824+ |
TO-220 |
2000 |
原装现货专业代理,可以代拷程序 |
|||
NEC |
1922+ |
TO220 |
3689 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
三洋 |
24+ |
TO-92L |
5000 |
||||
23+ |
2086 |
||||||
NEC |
95+ |
TO220 |
1060 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
CrydomCo. |
23+ |
MODDIODESCR25A480VAC.250 |
1690 |
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
|||
NEC |
2023+ |
TO220 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
TO-220 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
N/A |
23+ |
TO-92L |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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2021-9-17HK32F103C8T6
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2021-6-2HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
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