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4600	100X100,Plug 文件：45.22 Kbytes Page：4 Pages	3M 3M Electronics
4600	ShieldedSurfaceMountPowerInductors 文件：148.72 Kbytes Page：3 Pages	MURATA-PSMurata Power Solutions Inc. 村田村田制作所
4600	Pressuregauge 文件：90.16 Kbytes Page：1 Pages	FESTOFesto Corporation. 费斯托
4600	Heyco®-TiteEMCBrassLiquidTightCordgrips 文件：360.69 Kbytes Page：1 Pages	HeycoHeyco. 海科

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更新时间：2025-5-15 14:48:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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千层芯半导体(深圳)有限公司	460001	LITTLEFUSE	24+	原厂原装	6010	只做原装正品	询价
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上海鑫科润电子科技有限公司	4600		01+	SOP-8	40	原装现货海量库存欢迎咨询	询价
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深圳市百域芯科技有限公司	4600GeForce4Ti	NVIDIA	21+	BGA	120000	长期代理优势供应	询价

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2021-9-17
HK32F103C8T6
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2021-6-2
HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28
HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3
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双通道同步整流降压MOSFET驱动器该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3
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