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HIP2123FRTAZ-T	封装/外壳：10-WDFN 裸露焊盘包装：卷带（TR）描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN 集成电路（IC）栅极驱动器	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2123	HEXMALE/FEMALESTANDOFFS [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
2123	MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
2123	SnapBushings 文件：133.28 Kbytes Page：1 Pages	Heyco Heyco
2123A	Inductor 文件：19.82 Kbytes Page：1 Pages	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
2123A	Fieldbus,16Pr#18StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,600VTC-ER 文件：256.829 Kbytes Page：3 Pages	BELDEN Belden Inc.

HIP2123FRTAZ-T产品属性

类型
描述
型号
HIP2123FRTAZ-T
功能描述
功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
SOIC-8
封装
Tube

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更新时间：2024-5-3 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市创新迹电子有限公司	HIP2123FRTAZ-T	Intersil	23+	10-TDFN4x4	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
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深圳市瑞祥辉半导体有限公司	HIP2123FRTAZ-T	Intersil		WFDFN-10	6890	长期供货进口原装假一赔万热卖现货	询价
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2020-10-30
HIP2101IB贴片SOP-8门驱动器的功能
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HIP4080-80V/2.5A峰值，高频全桥FET驱动器
说明该HIP4080是一个高频率，中压全桥N沟道场效应管驱动IC，在20个铅可用塑料SOIC和DIP封装。该HIP4080包括输入比较器，用于促进“滞后“和PWM工作模式。它的母鸡（高启动）铅可以强制电流飞轮在底部的两个外部功率MOSFET，保持上功率MOSFET关闭。因为它可以切换频率高达1MHz的，是非常适合的HIP4080音圈马达驱动，D类高频开关音频开关放大器放大器和电源。HIP4080也可以驱动中压刷马达，二HIP4080s可用于驱动高性能步进马达，因为短期最低“上的时间“可以提供精细微步功能。约55ns的传播延迟短最大化控制回路交叉频率和死倍，可以调整到接近零，
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100V/2A山顶，低成本，高频率半桥驱动该HIP2100是一个高频率，100V的半桥N沟道MOSFET驱动器集成电路，可在8引线塑料SOIC封装。低边与高边栅极驱动程序独立控制，并能满足为8ns。这使用户在死区时间的选择和司机最大的灵活性协议。欠压保护双方的低边和高端用品的产出力低。芯片上的二极管消除了分立二极管驱动IC与其他必需的。一种新的电平转换器拓扑结构产生的低功耗优势的脉冲操作与直流操作的安全。不像一些竞争对手，高边输出返回正确的国家在对高端瞬时欠压供应。特点•驱动N沟道MOSFET半桥•
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为7V，17A条SynchroFET™互补永磁同步半桥设计采用P6和奔腾®记住，Intersil的SynchroFET™系列提供了一种新途径实施同步整流降压开关稳压器。该SynchroFET取代两间电力DMOSs，肖特基二极管，两个栅极驱动器和同步控制电路。该互补驱动电路的开启和场效应管上较低的FET关断时，由PWM输入为高。当由PWM输入变为低上部场效应管熄灭，较低的FET导通。该HIP5011有一个PWM引脚，反转从到相输入的关系。这种架构允许设计人员利用一个低成本的单端PWM在任何一个控制器电流或电压模式配置。该SynchroFET工作
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