您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 芯片资料
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第3560页 > HIP2106

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
HIP2106

100V/1APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver

100V/1APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver TheHIP2106isahighfrequency,100VHalfBridgeN-ChannelMOSFETdriverIC,availablein8leadplasticSOIC.Thelow-sideandhigh-sidegatedriversareindependentlycontrolledandmatchedto8ns.Thisgivestheusermaximumflexibilit

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
HIP2106A

LowVoltageDriverforSynchronousRectification

LowVoltageDriverforSynchronousRectification TheHIP2106AisahighfrequencyMOSFETdriveroptimizedtodrivetwoN-channelpowerMOSFETsinasynchronousbuckconvertertopology.Thisdriver,combinedwithRenesasmulti-phasebuckPWMcontrollers,formsacompletesingle-stagecore-voltage

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
HIP2106A

LowVoltageDriverforSynchronousRectification

Features •Adaptiveshoot-throughprotection(HIP2106Aonly) •HIandLIinputs(HIP2105only) •0.4ΩON-resistanceand4Asinkcurrentcapability •Lowtri-statehold-offtime(20ns)(HIP2106Aonly) •Supports3.3Vand5VHI/LIorPWMinput •Power-OnReset(POR) •DualFlatNo-Lead(DFN)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
HIP2106ADBEVAL1Z

LowVoltageDriverforSynchronousRectification

Features •Adaptiveshoot-throughprotection(HIP2106Aonly) •HIandLIinputs(HIP2105only) •0.4ΩON-resistanceand4Asinkcurrentcapability •Lowtri-statehold-offtime(20ns)(HIP2106Aonly) •Supports3.3Vand5VHI/LIorPWMinput •Power-OnReset(POR) •DualFlatNo-Lead(DFN)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
HIP2106AIRZ

LowVoltageDriverforSynchronousRectification

Features •Adaptiveshoot-throughprotection(HIP2106Aonly) •HIandLIinputs(HIP2105only) •0.4ΩON-resistanceand4Asinkcurrentcapability •Lowtri-statehold-offtime(20ns)(HIP2106Aonly) •Supports3.3Vand5VHI/LIorPWMinput •Power-OnReset(POR) •DualFlatNo-Lead(DFN)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
HIP2106AIRZ-T

LowVoltageDriverforSynchronousRectification

Features •Adaptiveshoot-throughprotection(HIP2106Aonly) •HIandLIinputs(HIP2105only) •0.4ΩON-resistanceand4Asinkcurrentcapability •Lowtri-statehold-offtime(20ns)(HIP2106Aonly) •Supports3.3Vand5VHI/LIorPWMinput •Power-OnReset(POR) •DualFlatNo-Lead(DFN)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
HIP2106IB

100V/1APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver

100V/1APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver TheHIP2106isahighfrequency,100VHalfBridgeN-ChannelMOSFETdriverIC,availablein8leadplasticSOIC.Thelow-sideandhigh-sidegatedriversareindependentlycontrolledandmatchedto8ns.Thisgivestheusermaximumflexibilit

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
HIP2106IP

100V/1APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver

100V/1APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver TheHIP2106isahighfrequency,100VHalfBridgeN-ChannelMOSFETdriverIC,availablein8leadplasticSOIC.Thelow-sideandhigh-sidegatedriversareindependentlycontrolledandmatchedto8ns.Thisgivestheusermaximumflexibilit

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
HIP2106AIRZ

封装/外壳：10-VFDFN 裸露焊盘 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN 集成电路（IC） 栅极驱动器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
HIP2106AIRZ-T

封装/外壳：10-VFDFN 裸露焊盘 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN 集成电路（IC） 栅极驱动器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2106

FIBERTO10BASE-TCOMBO

文件：176.18 Kbytes Page：3 Pages

XFMRS

XFMRS，Inc.

XFMRS
2106A

Fieldbus,20Pr#18StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG

文件：257.23 Kbytes Page：3 Pages

BELDEN

Belden Inc.

BELDEN
2106-RC

HighCurrentToroidInductors

文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
2106-RC

HighCurrentToroidInductors

文件：117.11 Kbytes Page：1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
2106-RC

HighCurrentToroidInductors

文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns

HIP2106产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HIP2106

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

HIP2106供应商更多...

更新时间：2024-4-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
HIP2106AIRZ-T
RENESAS(瑞萨)/IDT
23+
DFN-10-EP(3x3)
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
HIP2120FRTAZ
Intersil
20+
na
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
深圳市冠亿通科技有限公司
HIP2106IB
Inters
21+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
深圳市艾宇欣科技有限公司
HIP2120FRTAZ
Intersil
1931+
N/A
493
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物
询价
深圳市博浩通科技有限公司
HIP2106IP
INTERSIL
23+
3664
1025
全新原装现货
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
HIP2106IB
INTERSIL
2023+
原厂封装
50000
原装现货
询价
深圳市芯福林电子科技有限公司
HIP2120FRTAZ
Intersil
21+
10TDFN
13880
公司只售原装,支持实单
询价
深圳市赛能新源半导体有限公司
HIP2106AIRZ-T
RENESAS
22+
DFN-10
50000
进口原装正品
询价
讯运(深圳/上海)电子有限公司
HIP2106AIRZ
RENESAS(瑞萨)/IDT
2021+
DFN-10(3x3)
499
询价
深圳市易讯博科技有限公司
HIP2120FRTAZ
Intersil
22+
NA
493
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价

HIP2106芯片相关品牌

  • ABC
  • CIT
  • CONTRINEX
  • EPCOS
  • GMT
  • LRC
  • MOLEX5
  • OPLINK
  • Samtec
  • TOTAL-POWER
  • TSC
  • Vishay

HIP2106规格书下载地址

HIP2106参数引脚图相关

HIP2106数据表相关新闻

  • HIP4082IBZT信誉第一 只做原装正品

    焕盛达竭诚为您提供一站式配套服务。当天下单，当天发货；

    2020-10-30

  • HIP2101IB贴片SOP-8门驱动器的功能

    HIP2101IB贴片SOP-8门驱动器的功能

    2020-2-8

  • HIP4080-80V/2.5A峰值，高频全桥FET驱动器

    说明该HIP4080是一个高频率，中压全桥N沟道场效应管驱动IC，在20个铅可用塑料SOIC和DIP封装。该HIP4080包括输入比较器，用于促进“滞后“和PWM工作模式。它的母鸡（高启动）铅可以强制电流飞轮在底部的两个外部功率MOSFET，保持上功率MOSFET关闭。因为它可以切换频率高达1MHz的，是非常适合的HIP4080音圈马达驱动，D类高频开关音频开关放大器放大器和电源。HIP4080也可以驱动中压刷马达，二HIP4080s可用于驱动高性能步进马达，因为短期最低“上的时间“可以提供精细微步功能。约55ns的传播延迟短最大化控制回路交叉频率和死倍，可以调整到接近零，

    2013-3-4

  • HIP2100-100V/2A山顶，低成本，高频率的一半桥驱动器

    100V/2A山顶，低成本，高频率半桥驱动该HIP2100是一个高频率，100V的半桥N沟道MOSFET驱动器集成电路，可在8引线塑料SOIC封装。低边与高边栅极驱动程序独立控制，并能满足为8ns。这使用户在死区时间的选择和司机最大的灵活性协议。欠压保护双方的低边和高端用品的产出力低。芯片上的二极管消除了分立二极管驱动IC与其他必需的。一种新的电平转换器拓扑结构产生的低功耗优势的脉冲操作与直流操作的安全。不像一些竞争对手，高边输出返回正确的国家在对高端瞬时欠压供应。特点•驱动N沟道MOSFET半桥•

    2013-3-4

  • HIP5010-为7V，17A条SynchroFET⑩互补驱动同步半桥

    为7V，17A条SynchroFET™互补永磁同步半桥设计采用P6和奔腾®记住，Intersil的SynchroFET™系列提供了一种新途径实施同步整流降压开关稳压器。该SynchroFET取代两间电力DMOSs，肖特基二极管，两个栅极驱动器和同步控制电路。该互补驱动电路的开启和场效应管上较低的FET关断时，由PWM输入为高。当由PWM输入变为低上部场效应管熄灭，较低的FET导通。该HIP5011有一个PWM引脚，反转从到相输入的关系。这种架构允许设计人员利用一个低成本的单端PWM在任何一个控制器电流或电压模式配置。该SynchroFET工作

    2013-3-3

  • HIP1020-双或三输出热插拔控制器

    HIP1020适用于一个线性斜坡电压大门3.3V，5V和12V的MOSFET的任意组合。内部电荷泵双打12V偏压或者三倍的5V偏置为客户提供高侧驱动器的能力时，需要使用更多的成本效益的N沟道MOSFET。5V/ms坡道内部控制率和打开是正确的价值大多数设备在设备湾指定的di/dt限制。如果一个较慢的速度是必需的，内部确定的升温速率可以使用一个可选的外部电容器超过缠身。当VCC=12V，电荷泵的坡道上的电压从零到22VHGATE约4ms的。这使得无论是标准或逻辑电平MOSFET成为全面增强使用时，高边开关为12V电源控制。“LGATE坡道从零到16V的电压使3.3V和/或5VM

    2013-1-6

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2024 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示