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HIP2103-4DEMO1Z价格
参考价格：￥496.0655
型号：HIP2103-4DEMO1Z 品牌：Intersil 备注：这里有HIP2103-4DEMO1Z多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，HIP2103-4DEMO1Z批发/采购报价，HIP2103-4DEMO1Z行情走势销售排行榜，HIP2103-4DEMO1Z报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HIP2103-4DEMO1Z | 60V, 1A/2A Peak, Half Bridge Driver with 4V UVLO The HIP2103 and HIP2104 are half bridge drivers designed for applications using DC motors, three-phase brushless DC motors, or other similar loads. Two inputs (HI and LI) are provided to independently control the high side driver (HO) and the low side driver (LO). Furthermore, the two inputs | Intersil |   | |
HIP2103-4DEMO1Z | 60V, 1A/2A Peak, Half-Bridge Driver with 4V UVLO • 60V maximum bootstrap supply voltage • 3.3V and 12V LDOs with dedicated enable pins (HIP2104) • 5µA sleep mode quiescent current • VDD undervoltage lockout • 3.3V or 5V CMOS compatible inputs with hysteresis • Integrated bootstrap FET (replaces traditional boot strap diode) • HIP2103 is | RENESAS 瑞萨 | | |
HIP2103-4DEMO1Z | 功能：电机控制器/驱动器 包装：盒 描述：DEMO BOARD HIP2103 HIP2104 开发板，套件，编程器 评估和演示板及套件 | ETC 知名厂家 | ETC | |
HIP2103-4DEMO1Z | 60V, 1A/2A Peak, 1/2 Bridge Driver with 4V UVLO 文件：504.08 Kbytes Page：21 Pages | Intersil | | |
HIP2103-4DEMO1Z | 60V, 1A/2A Peak, Half Bridge Driver with 4V UVLO 文件：893.91 Kbytes Page：21 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
HIP2103-4DEMO1Z产品属性
- 类型
描述
- 型号
HIP2103-4DEMO1Z
- 制造商
INTERSIL
- 制造商全称
Intersil Corporation
- 功能描述
60V, 1A/2A Peak, 1/2 Bridge Driver with 4V UVLO
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
DFN12 |
12245 |
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INTERSI |
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INTERSIL |
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INTERSIL |
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DFN8 |
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2013-3-4HIP4080-80V/2.5A峰值，高频全桥FET驱动器
说明 该HIP4080是一个高频率，中压全桥N沟道场效应管驱动IC，在20个铅可用塑料SOIC和DIP封装。该HIP4080包括输入比较器，用于促进“滞后“和PWM工作模式。它的母鸡（高启动）铅可以强制电流飞轮在底部的两个外部功率MOSFET，保持上功率MOSFET关闭。因为它可以切换频率高达1MHz的，是非常适合的HIP4080音圈马达驱动，D类高频开关音频开关放大器放大器和电源。HIP4080也可以驱动中压刷马达，二HIP4080s可用于驱动高性能步进马达，因为短期最低“上的时间“可以提供精细微步功能。约55ns的传播延迟短最大化控制回路交叉频率和死倍，可以调整到接近零，
2013-3-4HIP1020-双或三输出热插拔控制器
HIP1020适用于一个线性斜坡电压大门3.3V，5V和12V的MOSFET的任意组合。 内部电荷泵双打12V偏压或者三倍的5V偏置为客户提供高侧驱动器的能力时，需要使用更多的成本效益的N沟道MOSFET。 5V/ms坡道内部控制率和打开是正确的价值大多数设备在设备湾指定的di / dt限制。如果一个较慢的速度是必需的，内部确定的升温速率可以使用一个可选的外部电容器超过缠身。当VCC = 12V，电荷泵的坡道上的电压从零到22V HGATE约4ms的。这使得无论是标准或逻辑电平MOSFET成为全面增强使用时，高边开关为12V电源控制。 “LGATE坡道从零到16V的电压使3.3V和/或5V M
2013-1-6
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